全球存儲芯片巨頭美光科技近日宣布，將在美國紐約州啟動一項具有里程碑意義的投資計劃。根據(jù)官方披露，該公司計劃在奧農(nóng)達加縣克萊鎮(zhèn)打造全球最前沿的DRAM內(nèi)存制造基地，項目總投資額高達1000億美元（按當前匯率折合約7002.6億元人民幣）。

這座未來感十足的晶圓廠集群將于2026年1月16日正式破土動工，建成后將成為紐約州歷史上規(guī)模最大的單筆私人投資項目。美光科技表示，該基地將采用業(yè)界最先進的制造工藝，專注于生產(chǎn)高性能DRAM內(nèi)存芯片，產(chǎn)品將廣泛應用于人工智能、數(shù)據(jù)中心、5G通信等高增長領域。

項目選址所在的克萊鎮(zhèn)位于紐約州中部，具備完善的半導體產(chǎn)業(yè)配套設施。美光科技強調(diào)，這項投資不僅將創(chuàng)造數(shù)千個高技術崗位，還將帶動周邊供應鏈企業(yè)協(xié)同發(fā)展，形成完整的半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。據(jù)測算，項目建成后預計每年可為當?shù)亟?jīng)濟貢獻超過50億美元產(chǎn)值。

業(yè)內(nèi)分析人士指出，在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈重構的背景下，美光科技此舉彰顯了其鞏固技術領先地位的決心。隨著人工智能算力需求的爆發(fā)式增長，高端DRAM內(nèi)存市場正迎來前所未有的發(fā)展機遇，該項目的落地將顯著提升美國在存儲芯片領域的自主可控能力。