在臺北電腦展上，三星電子向業界展示了其最新的存儲技術成果，重點推出了第八代高帶寬內存HBM5的樣品，并宣布將引入創新的HPB散熱技術以應對AI系統日益嚴峻的散熱挑戰。這一系列舉措標志著三星在存儲領域的技術布局進一步深化，旨在滿足AI應用對高性能、高集成度存儲解決方案的迫切需求。
三星電子DS部門首席技術官宋在赫在展會現場指出，AI產業的快速發展正推動存儲技術向更高性能、更高集成度的方向演進。如今，存儲性能已不再是競爭的唯一焦點，數據處理效率和熱管理能力同樣成為決定產品競爭力的關鍵因素。三星此次展示的HBM5樣品，正是針對這一趨勢研發的成果。
HBM5的核心技術之一是HPB散熱技術。該技術通過新增獨立的熱傳導路徑，有效降低熱阻，使物理層區域產生的熱量能夠更高效地擴散和釋放，從而提升內存的運行穩定性。三星表示，HPB技術有望在高帶寬、高集成的AI應用環境中顯著改善系統整體效率，為AI計算提供更可靠的存儲支持。
據三星透露，HPB技術已在HBM4E產品上完成實現與驗證，并計劃在后續的HBM5中正式導入，以進一步提升產品性能和穩定性。三星還計劃在HBM5中率先采用2納米基礎芯片，這一舉措將進一步推動存儲技術的突破。
除了HBM5，三星在展會上還展示了HBM4E晶圓和芯片組。該產品采用1c DRAM核心芯片與三星自家4納米工藝基礎芯片的組合結構，已于5月29日完成行業首個樣品出貨。HBM4E能夠以每引腳14Gbps的速度穩定運行，最高可達16Gbps，對應最大帶寬為4TB/s，展現了三星在存儲技術領域的領先實力。
三星表示，未來將繼續與包括英偉達在內的全球企業展開深度合作，共同推動下一代存儲技術的發展，以應對AI時代對存儲解決方案的更高要求。
