近日，半導體行業傳來一則重磅消息：聯發科正式宣布，其下一代芯片將獨家采用英特爾的EMIB-T封裝技術。根據計劃，相關芯片將于2026年第四季度完成流片，并在2027年第四季度正式進入量產階段。這一決定引發了業界對未來芯片封裝技術走向的廣泛關注。
盡管聯發科尚未明確披露具體哪些產品線會應用EMIB-T技術，但業內分析普遍認為，定制化AI芯片和系統級芯片（SoC）極有可能成為首批受益者。這一動向不僅對聯發科自身產品布局意義重大，更被視為英特爾代工業務的一次重要突破。為應對即將到來的訂單增長，聯發科已開始積極拓展供應鏈合作網絡。
值得注意的是，谷歌計劃于2027年推出的TPU v9芯片也被傳出可能采用EMIB封裝方案。作為谷歌定制TPU項目的長期合作伙伴，聯發科在技術評估階段必然與谷歌共同考量了英特爾封裝方案的可行性。這種跨領域的技術協同，進一步凸顯了EMIB-T在高端計算領域的戰略價值。
EMIB技術自2017年實現商業化應用以來，始終代表著2.5D封裝領域的前沿水平。其核心創新在于通過嵌入式硅橋實現多芯片互連，徹底摒棄了傳統中介層設計。這種架構不僅提升了封裝密度，更顯著降低了信號傳輸損耗。作為標準EMIB的升級版本，EMIB-T在供電效率和芯片間通信速度方面實現了質的飛躍。
針對標準EMIB存在的供電瓶頸，EMIB-T創新性地引入了硅通孔（TSV）技術。通過從封裝底部直接構建供電通道，新方案成功解決了懸臂式供電路徑導致的電壓降問題，為高帶寬內存（HBM4/HBM4E）的集成鋪平了道路。與此同時，UCIe-A互連標準的采用使數據傳輸速率突破32 Gb/s大關，為異構計算提供了更強大的帶寬支撐。
半導體供應鏈人士透露，關于這項技術合作的討論已持續數月之久。隨著聯發科和谷歌兩大科技巨頭的相繼入局，英特爾在先進封裝領域的生態位得到進一步鞏固。這場技術變革不僅將重塑芯片封裝市場的競爭格局，更可能推動整個半導體行業向更高集成度的方向發展。當前，業界正密切關注EMIB-T技術在實際產品中的表現，其商業化成效或將影響未來數年的技術路線選擇。
