三星電子近日宣布，成功研發(fā)出全球首款專為設(shè)備端人工智能（On-Device AI）優(yōu)化的通用閃存存儲（UFS）5.0解決方案。該產(chǎn)品基于第九代V-NAND閃存技術(shù)，嚴格遵循JEDEC最新嵌入式存儲接口標準，旨在應對端側(cè)AI場景下對數(shù)據(jù)處理速度與響應效率的嚴苛挑戰(zhàn)。
性能指標顯示，UFS 5.0實現(xiàn)了革命性突破。其順序讀取速度峰值達10.8GB/s，寫入速度最高9.5GB/s，較前代UFS 4.1標準提升超100%。這一特性將顯著縮短大型AI模型的加載時間，使運行大語言模型（LLM）時的延遲降低至毫秒級，為智能手機、XR頭顯等設(shè)備帶來更流暢的AI交互體驗。
在能效優(yōu)化方面，新方案通過引入時鐘門控技術(shù)與多電壓架構(gòu)，實現(xiàn)同等數(shù)據(jù)傳輸量下功耗降低40%以上。這項改進可有效延長移動設(shè)備的續(xù)航時間，尤其適用于需要持續(xù)運行AI算法的可穿戴設(shè)備和擴展現(xiàn)實（XR）設(shè)備。
物理設(shè)計層面，UFS 5.0采用超緊湊封裝工藝，尺寸縮減至7.5mm×13mm×0.9mm，較前代體積縮小16.7%。這種微型化設(shè)計為終端廠商提供了更大的內(nèi)部空間布局自由度，同時支持最高1TB的存儲容量配置，滿足AI應用對海量數(shù)據(jù)存儲的需求。
三星存儲器事業(yè)部產(chǎn)品規(guī)劃團隊負責人指出，隨著設(shè)備端AI的普及，存儲系統(tǒng)正成為決定用戶體驗的核心要素。此次技術(shù)突破不僅展現(xiàn)了三星在閃存領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，更通過性能與能效的雙重優(yōu)化，為下一代智能終端樹立了新的行業(yè)標準。
量產(chǎn)計劃顯示，UFS 5.0將于今年第四季度啟動大規(guī)模生產(chǎn)，首批產(chǎn)品將優(yōu)先供應旗艦智能手機、XR頭顯及AI可穿戴設(shè)備市場。根據(jù)市場研究機構(gòu)數(shù)據(jù)，三星在2026年第一季度以31.6%的份額領(lǐng)跑NAND閃存市場，此次技術(shù)領(lǐng)先有望進一步鞏固其行業(yè)主導地位。
